単結晶成長プロセス(チョクラルスキー法-CZ):
1,425℃より高い温度でのこのシリコン結晶化法は、オーブン内での温度勾配を非常に精密に制御することができることから、大型円筒形単結晶インゴットの製造に用いられます。
これらのインゴットは線鋸で薄く切られ、マイクロエレクトロニクスおよび太陽光発電産業で用いられるシリコン「ウェーハ」が作られます。
Mersen社は次の部材をご提供しています。
- 精製グラファイトるつぼ
- 精製グラファイト加熱素子
- 高温域硬質断熱材
- グラファイトおよび炭素‐炭素複合材遮熱材
- 炉断熱