Mersen社は、ウェーハの純度および結晶化時の高温域の制御を保証する、持続可能で効率の良いソリューションをご提供します。
溶融シリコンの溶液槽の冷却は、結晶化領域が非常に広いインゴットの固化が行われるよう制御されています。
これらのインゴットはその後線鋸で薄く切られ、太陽光産業で主に用いられるシリコン「ウェーハ」が作られます。
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1,425℃より高い温度でのこのシリコン結晶化法は、オーブン内での温度勾配を非常に精密に制御することができることから、大型円筒形単結晶インゴットの製造に用いられます。
これらのインゴットは線鋸で薄く切られ、マイクロエレクトロニクスおよび太陽光発電産業で用いられるシリコン「ウェーハ」が作られます。
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(TEL) 03-5325-6311
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ETV-ICP OES - detecting limits for high purity carbon and graphite
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ETV-ICP OES - detecting limits for high purity carbon and graphitePurified graphite silicon carbide graphite enhancement
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